- Количество каналов2
- Номинальная мощность (4 ОМ)60 Вт х 2
- СхемотехникаMOSFET
- Ширина172 мм мм
- Высота251 мм мм
- Глубина42 мм мм
- Соотношение сигнал/шум90 дБ дБ
- Диапазон частот15 - 20000 Гц
- ОсобенностиФильтр низких частот: 40 Гц – 600 Гц. Фильтр высоких частот: 40 Гц – 600 Гц. Диапазон регулировки уровня низких частот: 0 - 18 дБ. Высоковольтный вход. Предохранитель 1 х 25 А. Максимальная мощность, 4 Ом: 130 Вт х 2. Номинальная мощность в мостовом включении, 4 Ом: 220 Вт х 1. Максимальная мощность в мостовом включении, 4 Ом: 440 Вт х 1
|